4月23日消息，據國家知識產權局公告，廈門乾照光電股份有限公司取得一項名為“半導體發光芯片及其制造方法“，授權公告號CN109037407B，申請日期為2018年8月。

專利摘要顯示，本發明公開了一半導體發光芯片及其制造方法，其中所述半導體發光芯片包括一襯底和自所述襯底依次生長的一N型半導體層、一有源區、一P型半導體層、一反射層、至少兩絕緣層、一防擴散層以及一電極組，其中一個所述絕緣層環繞在所述反射層的內側，另一個所述絕緣層環繞在所述反射層的外側，并且所述絕緣層隔離所述防擴散層和所述P型半導體層，其中所述電極組包括一N型電極和一P型電極，其中所述N型電極被電連接于所述N型半導體層，所述P型電極被電連接于所述P型半導體層。