2月19日，廈門三安光電有限公司公開了發明名稱為“一種LED發光裝置及其制造方法”和“發光二極管器件及其制備方法”兩項發明專利。
專利一：一種LED發光裝置及其制造方法
其中，發明名稱為“一種LED發光裝置及其制造方法”的發明專利，公開號為CN112382716A，申請日期為2020年10月28日。申請（專利權）人：廈門三安光電有限公司；發明人為：江賓、林素慧、曾煒竣、彭康偉、曾明俊、何安和、劉小亮。
據了解，LED芯片因為其優良的性能得到快速發展。其中的紫外光LED特別是深紫外光LED的巨大的應用價值，尤其是在殺菌消毒方面的應用，引起了人們的高度關注，成為了新的研究熱點。UV LED用于殺菌、消毒時，其使用環境大部分濕氣較嚴重，這就對UVC LED的封裝提出了更高的要求。
該項發明提供一種LED發光裝置及其制造方法，該LED發光裝置包括基板，所述基板具有相對設置的第 一表面和第二表面，所述第 一表面上設置有導電線路層；LED芯片，所述LED芯片通過所述導電線路層固定在所述基板的第 一表面上；無機密封層，所述無機密封層覆蓋所述LED芯片的表面、側壁以及所述基板的第一表面。
上述無機密封層可以是SiO2和/或HfO2等一層或多層氧化物層。該無機密封層對UV或者UVC具有較高的透過率，并且即使長時間在UV或者UVC的照射下，也不會出現老化或龜裂等問題。本發明在LED芯片的表面、側壁以及基板的第 一表面上同時形成上述無機密封層，能夠同時有效保護LED芯片及基板。
專利二：發光二極管器件及其制備方法
另一項發明名稱為“發光二極管器件及其制備方法”的專利，公開號為CN112382711A，申請日期為2020年10月19日。申請（專利權）人：廈門三安光電有限公司；發明人為：張博揚、董浩。
發光二極管器件由于其較高的發光效率在很多領域均有廣泛的應用。為了提高發光二極管器件的出光效率，現有常見的發光二極管器件常在半導體外延層下方設置反射層，反射層的面積越大，其出光效率越高。但是，現有發光二極管器件一般均需對半導體外延層粗化處理，在粗化處理過程中，蝕刻液容易滲透至反射層，并刻蝕反射層，從而影響發光二極管器件的出光效率。
因此，如何在發光二極管器件具有較大反射層的情況下，避免反射層在后續形成粗糙部過程中被刻蝕，以提高發光二極管器件的出光效率，成為本領域亟需解決的問題。
此項申請公開了一種發光二極管器件及其制備方法，適用于發光二極管相關技術領域。該發光二極管器件管包括基板、臺面結構、功能層和保護層；臺面結構包括由第 一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層順序排列所構成的半導體外延層；第二類型半導體層位于靠近基板的一側，第 一類型半導體層背對基板的表面配置有粗糙部；功能層，包括用于與半導體外延層連接的第 一表面和用于與基板連接的第二表面；半導體外延層的面積小于功能層的面積；保護層配置為：至少覆蓋第 一表面除半導體外延層之外的區域。
本申請利用保護層遮擋住功能層除半導體外延層之外的區域，提高發光二極管器件中反射層的面積，進而提高發光二極管器件的出光效率。
