Micro LED具備高對比、高速、廣視角、高亮度、高效率與作業時間長等特性，相當適合應用在智能手表、抬頭式顯示器與 AR 頭戴式裝置等穿戴式產品上的顯示器應用。
然而， Micro LED因體積微小，制作過程艱難，若使用常見的取放技術，將 Micro LED 一個個以小于 50 微米的間距擺放，是相當困難的挑戰。該制程的設備價格不斐且在產量上仍充滿疑慮，隨著像素密度逐日攀升，取放技術恐無用武之地。
圖片來源：Plessey
因此，Plessey 持續開發硅基氮化鎵的技術，該技術將氮化鎵LED放置在硅基板而非傳統的藍寶石基板上。使用硅基氮化鎵技術，便能夠制造單晶 Micro LED，在單一芯片上裝載多個放射器。這種方法的優勢在于能將像素間距縮小至8微米、且能放大LED放射體積，以及硅基氮化鎵表面的放射屬性所帶來的較高對比等。該技術適用的晶圓大小，已經可輕松拉至 200nm以上，改善成本與良率。
此技術能夠剔除傳統取放式生產的弊病，又賦予Micro LED 滿足新興 AR 與顯示器應用之苛刻要求的潛力。再者，采單晶設計讓Micro LED能直接放在CMOS硅背板上，輕松將 CMOS 電路導入高科技應用。
Plessey具有目前唯一的單晶Micro LED方案，并陸續對外授權該技術，供合作伙伴生產客制化顯示器與光源使用，滿足各式各樣的消費者電子應用。
