基于Micro LED的顯示面板

蘋果的高科技專利描述了發光結構和形成發光結構的方法。在一個實施方案中，形成發光結構的方法包括在一個或多個相應的臨時基板上形成一個或多個LED試片，將一個或多個LED試片轉移到一個載體基板上，將一個或多個LED試片圖案化為LED臺面結構，并將LED臺面結構轉移到一個顯示基板上。

在一些實施方案中，在轉移到顯示基板之前，還可以在LED面層結構周圍形成井狀結構。此外，還可以利用混合接合將其接合至顯示基板上。根據實施方案的處理順序可用于形成單色和全色顯示器。

在一個實施方案中，發光結構包括一個接合在基板的LED，如互補金屬氧化物半導體（CMOS）基板電極墊上的LED。該LED可以包括一個基于無機半導體的p-n二極管，以及一個接合在電極墊上的金屬底層觸點。另外，絕緣填充層可以橫向地位于LED和金屬底部接觸周圍。

在一個實施方案中，金屬底部接觸的平面底面以金屬-金屬鍵與電極墊的平面頂面接合，而絕緣填充層的平面底面以氧化鍵與基板的平面頂面結合。此外，LED可以被安裝在嵌入絕緣填充層的井狀結構內。

在一個實施方案中，一個發光結構包括一個第一無機半導體為基礎的p-n二極管，被設計成發出第一種顏色，以及一個與第一電極墊結合的第一金屬底部觸點。發光結構還可以包括一個第二LED（以及更多），包括一個第二無機半導體基p-n二極管，旨在發出與第一顏色不同的第二顏色，以及一個與第二電極墊結合的第二金屬底部觸點。

在一些實施方案中，第一金屬底面觸點比第二金屬底面觸點更厚，第二無機半導體基p-n二極管也比第一無機半導體基p-n二極管更厚。

在一些實施方案中，第一和第二金屬底部觸點的底面是共面的。此外，LED可以安裝在嵌入絕緣填充層的相應井狀結構內。

根據一些實施方案，處理順序可以有助于將LED集成縮放到小的微型尺寸，并在LED周圍和上方集成光學結構，減輕對準的挑戰。此外，反射井結構和微光學元件的整合還可以提高同軸光提取效率。

圖源：patentlyapple

蘋果公司的專利圖1A包括形成發光結構方法的工藝流程和相應的截面側視圖圖示；圖1B包括形成單色發光結構方法的工藝流程；圖7是一對安裝在顯示基板的反射井結構內的LED的示意性截面側視圖圖示。

蘋果公司的專利圖3A包括一個工藝流程和相應的橫截面側視圖說明，該方法是在載體基板上從LED試片上圖案化一對LED臺面結構；圖3B包括一個工藝流程和相應的橫截面側視圖說明，該方法是在顯示基板上集成一對LED臺面結構。

圖源：patentlyapple

蘋果公司的專利圖12A是一個透明的半球狀高折射率透鏡在LED上的示意性截面側視圖；圖12B是一個透明的錐狀高折射率透鏡在LED上的示意性截面側視圖。

想要了解更多專利細節，請查閱蘋果公司的專利申請# US 20230018406 A1。

專利鏈接：

https://image-ppubs.uspto.gov/dirsearchpublic/print/downloadPdf/20230018406

（來源：VR陀螺）